На главнуюКарта сайтаКонтакты
О нас
Портфолио
Дизайн
Услуги
Фотография
Наши друзья
Контакты
 

 

Ракета не виновата в потере спутников ГЛОНАСС

По словам председателя межведомственной комиссии по расследованию причин нештатной ситуации со спутниками ГЛОНАСС Геннадия Райкунова, определена основная версия крушения, хотя основные выводы комиссия сделает только 15 декабря.

Новости IT-технологий

Intel и Micron анонсировали первый в мире 20-нм 128 Гигабитный NAND-модуль

Intel и Micron анонсировали первый в мире 20-нм 128 Гигабитный NAND-модуль

Intel и Micron Technology объявили о создании первой в мире 20-нанометровой (нм) NAND-памяти с многоуровневой структурой ячеек (multi level cell, MLC) емкостью 128 гигабит (Гбит). Кроме того, стороны объявили о начале массового производства 20-нм NAND-памяти емкостью 64 Гбит.

Разработанный совместным предприятием Intel и Micron (IM Flash Technologies, IMFT), — это первый в индустрии монолитный модуль. Он позволяет создать чип размером с ноготь емкостью 1 Тбит, используя всего 8 кристаллов. Он удваивает емкость и производительность 20-нм модуля емкостью 64 Гбит. Новый модуль удовлетворяет спецификации ONFI 3.0, способен достигать скорости 333 МТ/с и помогает создавать более эффективные и дешевые твердотельные накопители для смартфонов, планшетов и промышленных систем хранения данных.

Стороны утверждают, что ключом к успеху в области 20-нм техпроцесса стала инновационная структура ячеек. В 20-нм NAND-памяти впервые используется планарная структура, которая позволяет преодолеть проблемы, сопутствующие более сложным технологиям производства, и обеспечить производительность и надежность, присущие предыдущему поколению продуктов. Планарная структура успешно решает сложности масштабирования стандартной ячейки NAND с плавающим затвором путем интеграции технологии Hi-K/Metal Gate Stack.

Спрос на NAND-модули высокой емкости обусловлен тремя связанными между собой тенденциями: ростом цифровой вселенной, миграцией в «облако» и распространением портативных устройств. С ростом объемов цифрового контента пользователи рассчитывают, что их данные будут доступны на любых устройствах, синхронизируясь в «облаке». Для предоставления качественных сервисов центрам обработки данных необходимы системы хранения данных более высокой емкости и быстродействия. Именно такие и позволяет создавать NAND-память. В потребительском сегменте одним из примеров является воспроизведение HD-видео, требующее наличие большого свободного пространства. Новые разработки открывают дополнительные перспективы для создания высокопроизводительной, компактной памяти для мобильных потребительских устройств и «облачных» серверов.Intel и Micron отмечают, что объемы производства 20-нм NAND-модулей емкостью 64 Гбит, которые компании достигнут в декабре, позволят выполнить быстрый переход к 128-Гбит модулям в 2012 г. К поставкам тестовых образцов модулей емкостью 128 Гбит планируется приступить в январе, а в первой половине 2012 г. - к серийному производству. 

 

К списку новостей >>>

Sharp запустит в массовое производство первые в мире ЖК-панели с оксидным полупроводником

Японская корпорация Sharp разработала высокопроизводительные ЖК-панели малого и среднего размера с использованием оксидного полупроводника InGaZnO (IGZO ).

Cisco представила новые решения для совместной работы в "посткомпьютерную эпоху"

Новая система иммерсивного телеприсутствия расширяет способы применения технологии Cisco TelePresence, легко интегрируясь с последними версиями решений Jabber для iPad и Windows.